Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

総合得点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

総合得点

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

バグを報告する

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 51

周辺 -143% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.6 10.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.0 7.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

51 21
読み出し速度、GB/s

10.2 18.6
書き込み速度、GB/秒

7.6 14.0
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2049 3356

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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