RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3062
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link