RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
35
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3147
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link