RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
18
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
3668
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link