RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
2.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
60
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
1505
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link