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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
60
周辺 53% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
7.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
2.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
60
読み出し速度、GB/s
18.2
7.8
書き込み速度、GB/秒
11.5
2.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
1505
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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