Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 32
    周辺 22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 11.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2764 left arrow 2804
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較