RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2804
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link