RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
2925
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link