RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2793
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link