RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2169
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link