RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2062
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link