RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En 40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
40
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link