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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
2808
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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