RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
969
2336
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link