RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2117
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link