RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2441
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link