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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
48
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3448
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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