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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
3651
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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