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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
28
读取速度,GB/s
17.4
19.0
写入速度,GB/s
12.2
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3651
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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