RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
37
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
2389
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link