G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Puntuación global
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 60
    En 52% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.5 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.4 left arrow 11.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 60
  • Velocidad de lectura, GB/s
    18.5 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    14.4 left arrow 11.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3457 left arrow 2359
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones