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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
60
读取速度,GB/s
18.5
15.3
写入速度,GB/s
14.4
11.0
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3457
2359
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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