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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Kingston X74R9W-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston X74R9W-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
6,336.8
18.5
写入速度,GB/s
2,935.8
15.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
3136
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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