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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
92
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
92
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1640
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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