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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
61
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
61
读取速度,GB/s
17.6
15.0
写入速度,GB/s
12.0
8.9
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2028
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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AMD R748G2606U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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