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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2706
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
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