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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
INTENSO 5641162 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641162 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 -178% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
23
读取速度,GB/s
4,477.7
16.2
写入速度,GB/s
1,869.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2799
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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INTENSO 5641162 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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