Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs INTENSO 5641162 8GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Pontuação geral

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 16.2

Valor médio nos testes

INTENSO 5641162 8GB

Razões a considerar
INTENSO 5641162 8GB

Relatar um erro

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 64

Por volta de -178% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.7 1,869.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

INTENSO 5641162 8GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

64 23
Velocidade de leitura, GB/s

4,477.7 16.2
Velocidade de escrita, GB/s

1,869.1 11.7
Largura de banda de memória, mbps

6400 17000

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

697 2799

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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