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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs INTENSO 5641162 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
INTENSO 5641162 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO 5641162 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
16.9
16.2
写入速度,GB/s
12.0
11.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2799
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
INTENSO 5641162 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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