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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
2,936.9
17.8
写入速度,GB/s
1,884.0
13.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3337
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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