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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Compara
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
18.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
18.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
16.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3938
3665
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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