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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
1949
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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