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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
45
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
1499
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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