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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
46
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2936
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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