RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
46
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
2936
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link