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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3679
2374
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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