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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Compara
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3679
2409
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
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