RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
13.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
2409
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link