RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
34
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3679
2812
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link