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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
60
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
2,381.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
43
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
2532
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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