RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
86
En 70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
86
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
1658
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link