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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2898
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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