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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
17.1
写入速度,GB/s
2,066.5
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2898
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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