RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3963
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link