RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
49
En -23% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2362
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link