RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2362
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link