RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
49
En -75% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2481
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link