RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En -104% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2865
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link