RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2865
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link